23января 2013 г.
Руководитель семинара – дф-мн Рухадзе Анри Амвросьевич
- Э.А. АЛЛАХЯРОВ (ИВТ РАН, ИТЭФ Университета Дюссельдорф), А.В. ИВЛЕВ, Х. Лёвен (ИТЭФ Университета Дюссельдорф)
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РОСТА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ И ПРОЦЕССОВ ТЕПЛОПЕРЕНЕОСА В ПЫЛЕВОЙ ПЛАЗМЕ
Проведен численный анализ роста кристаллических слоев в пылевой плазме. Исследованы скорость
роста кристалла, профиль температуры на фронте кристалл-жидкость от величины коэффициента трения в системе.
Показано, что направление роста и вид кристалла зависит от структуры подложки.
Начало в 10.30, корп. 1, конференц-зал ИОФ РАН
Если Вы хотите принять участие в работе очередного заседания семинара, позвоните, пожалуйста, по телефону
8 (499) 135 02 47 не позже 15.00 предыдущего понедельника.
Можно также по электронной почте (mailto:lena@fpl.gpi.ru)
Для заказа пропуска необходимо сообщить ФАМИЛИЮ, ИМЯ, ОТЧЕСТВО (ПОЛНОСТЬЮ), МЕСТО РАБОТЫ (СОКРАЩЕННО).
Заявки принимаются не позже 14.00 предыдущего семинару понедельника.
ВНИМАНИЕ!
Заявки необходимо присылать на КАЖДОЕ посещение семинара. |