6 ноября 2013 г.

Руководитель семинара – дф-мн Рухадзе Анри Амвросьевич

1. САИТОВ И.М., ЖИЛЯЕВ П.А., ЛАНКИН А.В., НОРМАН Г.Э., СТЕГАЙЛОВ В.В. (ИВТ РАН)
   
   КОЭФФИЦИЕНТ ОТРАЖЕНИЯ ОТ ПЛОСКОЙ ПОВЕРХНОСТИ ПЛОТНОЙ ПЛАЗМЫ КСЕНОНА
   
   Рассмотрены два подхода к расчету коэффициента отражения от плоской поверхности плотной плазмы. Оба подхода исходят из общих соотношений теории линейного отклика. В одном используется теория функционала плотности. Другой основан на плотности электронных состояний, которая учитывает дискретные уровни атомов и ионов, а в области непрерывного спектра рассчитывается методом молекулярной динамики. Проводится сравнение с экспериментальными данными для отражения лазерного излучения от фронта ударно сжатого ксенона (1989-2013 гг.). Эти данные до сих пор не получили удовлетворительного объяснения.
   
   
2. ХАСАНОВ Х. (МГУ)
   
   ЯДЕРНЫЙ СИНТЕЗ ПРИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ СВЕРХСЖИМАЕМОСТИ
   
   Создан динамический реактор уникальной ультрахолодной неравновесной плазменной структуры с высокой плотностью электронов в узлах этой структуры. Электромагнитная сверхсжимаемость сверхзвуковых струй плазменной структуры приводит к ядерному синтезу в её узлах во время рекомбинации плазмы. При этом в сверхзвуковых воздушных и паровоздушных струях на кремниевых и циркониевых подложках синтезируется значительное количество атомов C, N, Ca, Na, Cl с образованием в результате последующих химических соединений солей NaCl, KCl, CaCO₃ и др. Полученные соединения исследовались и идентифицировались электронным микроскопом и рентгеноспектральным анализом
   
   
   

   
   
   
   
   
   

Начало в 10.30, КОНФЕРЕНЦ-ЗАЛ КОРПУСА No.1

Если Вы хотите принять участие в работе очередного заседания семинара, позвоните, пожалуйста, по телефону
8 (499) 135 02 47 не позже 15.00 предыдущего понедельника.
Можно также по электронной почте (mailto:lena@fpl.gpi.ru)
Для заказа пропуска необходимо сообщить ФАМИЛИЮ, ИМЯ, ОТЧЕСТВО (ПОЛНОСТЬЮ), МЕСТО РАБОТЫ (СОКРАЩЕННО).
Заявки принимаются не позже 14.00 предыдущего семинару понедельника.
ВНИМАНИЕ!
Заявки необходимо присылать на КАЖДОЕ посещение семинара.