История ИОФ РАН

Академик А.М. Прохоров

Структура института

Сотрудники

Диссертационные советы

Аспирантура

Объявления
     Новости
     Официальные объявления
     Ученый совет ИОФ РАН
     Научные семинары
     Защиты дисcертаций
     Конференции и школы

Симпозиумы и конференции,
        проводимые ИОФ РАН


Иностранный отдел

Научно-образовательный
        центр ИОФ РАН


Инновационные разработки

Госконтракты

Труды ИОФАН

Начало лазерной эры в СССР

Применение лазеров

Вакансии

Профсоюзный комитет

Фото/видеорепортажи

Досуг

Научные электронные ресурсы

Посмотреть почту

Контакты



Справочные материалы

    Научные семинары


[13.09.2012]

С Е М И Н А Р  No. 1324

ТЕОРЕТИЧЕСКОГО ОТДЕЛА ИОФ РАН

19 сентября 2012 г.

Руководитель семинара – дф-мн Рухадзе Анри Амвросьевич

  1. ВИДОВ П.В. (МИРЭА)

    МОДЕЛЬ НЕГАУССОВЫХ СЛУЧАЙНЫХ БЛУЖДАНИЙ С КОНЕЧНОЙ ДИСПЕРСИЕЙ
    (по материалам кандидатской диссертации)

    Решение задачи о случайных блужданиях со всеми конечными моментами функции распределения элементарных прыжков. Решение задачи для случаев отсутствия моментов распределения и случая отсутствия всех моментов выше второго у распределений элементарных прыжков и получение асимптотик кумулятивной функции распределения. Рассмотрение и исследование реальной системы, в которой наблюдаются негауссовы случайные блуждания, представляющие собой временные ряды динамики курсов акций и индексов на фондовом рынке. Модель, описывающая поведение эмпирических рядов.

  2. БИРЮКОВ А.О. (МГУП)

    ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ВЗРЫВА ВОЛЬФРАМОВОЙ ПРОВОЛОЧКИ В ВАКУУМЕ
    (по материалам кандидатской диссертации)

    Изложены методы определения химического состава газа, образующегося в результате сильноточного электрического взрыва вольфрамовой проволочки. Описана методика измерения количества частиц с массой m = 4, обнаруживаемых во взрывной камере после электровзрыва. Обсуждены результаты проверочных экспериментов и возможные источники погрешностей измерений.

  3. АЛИСУЛТАНОВ З.З.

    ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ СИСТЕМЫ "ГРАФЕН – ДРУГАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ СИСТЕМА: АДСОРБИРОВАННЫЕ АТОМЫ, КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ, МАКРОСКОПИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА
    (по материалам кандидатской диссертации)

    Рассмотрены электронные состояния монослоя и бислоя графена, взаимодействующего с различными электронными системами.












Начало в 10.30, корп. 1, конференц-зал ИОФ РАН

Если Вы хотите принять участие в работе очередного заседания семинара, позвоните, пожалуйста, по телефону
8 (499) 135 02 47 не позже 15.00 предыдущего понедельника.
Можно также по электронной почте (mailto:lena@fpl.gpi.ru)
Для заказа пропуска необходимо сообщить ФАМИЛИЮ, ИМЯ, ОТЧЕСТВО (ПОЛНОСТЬЮ), МЕСТО РАБОТЫ (СОКРАЩЕННО).
Заявки принимаются не позже 14.00 предыдущего семинару понедельника.
ВНИМАНИЕ!
Заявки необходимо присылать на КАЖДОЕ посещение семинара.